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中国光刻机现在达到了多少纳米呢？

中国有光刻机了吗？

中国的光刻机与刻蚀机已经达到世界先进水平，为什么有些人还说中国芯片业依旧前路艰辛？

我国唯一一台euv光刻机现状

中国什么光刻机？

华为有多少光刻机

中国突破光刻机意味着什么？

中国有光刻机吗？

中国光刻机能产几纳米

中国最大的光刻机生产厂家

中国光刻机现在达到了多少纳米呢？

中国光刻机现在达到了22纳米。在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。

这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻，在突破关键领域以后，更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起。



高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。

中国有光刻机了吗？

国内唯一一台7nm光刻机在武汉弘芯。

中芯国际所采购的ASML光刻机设备，只能够实现14nm芯片量产，国内最先进的光刻机设备并不是中芯国际目前所使用的光刻机设备，而是武汉弘芯在2019年12月所购得的7nm光刻机，当时武汉弘芯还举行了重大的入场仪式。

光刻机，又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。

光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。手动指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了。

半自动指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐。自动指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。

性能指标

光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。

分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。

对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。

以上内容参考：百度百科-光刻机

中国的光刻机与刻蚀机已经达到世界先进水平，为什么有些人还说中国芯片业依旧前路艰辛？

据媒体报道，2018年12月，中微半导体设备（上海）有限公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线。5纳米，相当于头发丝直径（约为01毫米）的二万分之一，将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划2019年进行5纳米制程试产，预计2020年量产。

▲半导体器件工艺制程从14纳米微缩到5纳，等离子蚀刻步骤会增加三倍

刻蚀机是芯片制造的关键设备之一，曾一度是发达国家的出口管制产品。中微半导体联合创始人倪图强表示，中微与科林研发(Lam Research)、应用材料(Applied Materials)、东京威力科创(Tokyo Electron Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies) 4家美日企业，组成了国际第一梯队，为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额。

中科院SP超分辨光刻机

提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导、经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目。

该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。这是一种表面等离子体（surfaceplasma，SP）超分辨光刻装备。

▲中科院研制成功并通过验收的SP光刻机

该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片

中国的刻蚀机的确是达到了世界先进水平，光刻机还早，而且就算是这两样都世界先进了，不代表中国芯片业的前路就不艰辛了。目前中国的刻蚀机的确领先，5纳米等离子体刻蚀机已经通过台积电验证；但是光刻机就差多了，之前新闻报道中提到的“中科院SP超分辨光刻机”其实最多只能算是一个“原型机”，和ASML的光刻机不能相提并论，也不能用来制造芯片，还需要攻克一系列的技术难题退一步讲，就算是中国的光刻机与刻蚀机都达到世界领先就解决问题了么？ASML的EUV光刻机我们已经下单等待交货了，是不是到货以后中国就可以生产7nm甚至是5nm的芯片了不要把问题想简单了，以为芯片也只有光刻机和刻蚀机。芯片制造的技术、经验、工艺以及人才是一个系统性的工程，台积电也不是一天建成的，有了光刻机也不代表我们就能造出最顶尖的芯片。

好消息：中企5nm刻蚀机已获批量订单，全球仅3家企业掌握该技术

中微公司能成为伟大公司。

中微这种国内产品唯一性稀缺性的伟大公司，具有极高的护城河，国内没有相同品质的产品。

中微半导体设备(上海)股份有限公司(简称“中微公司”)成立于2004年，是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，深耕芯片制造刻蚀领域，研制出国内第一台电介质刻蚀机，是我国集成电路设备行业的领先企业。

全球半导体设备市场由国外厂商主导，行业呈现高度垄断格局，“不对称竞争”是我国集成电路设备产业的主要发展矛盾。成立之后，中微公司克服研发经费不对称、人才资源不对称、准入门槛不对称等重重困难，2015年以全球领先技术打破美国对我国等离子体刻蚀设备的出口管制；2018年自主研制的5纳米等离子体刻蚀设备通过全球领先的晶圆制造厂验证，跻身国际第一梯队；2019年成为首批登陆科创板的25家企业之一。

据外媒此前报道，作为全球最大的芯片消费市场， 截至2019年中国芯片市场规模已经增长到3104亿美元， 与10年前相比扩大了140%。而近些年来，中国开始意识到芯片自给的重要性，因此芯片及其生产技术已经成为中国提升本国 科技 实力的重要领域之一。因此， 在近期中国批准了美以2大芯片巨头合并之后，中国芯片及其生产设备企业也在不断提高自身竞争力。

继中国首条14nm芯片生产线正式投产及长江存储128层3D NAND闪存芯片投产发布之后，中国近期在芯片生产设备方面又传来一大好消息。 据观察者网周四（4月23日）报道，在 去年年底宣布其5nm蚀刻机获得台积电认可之后，中微公司近期发布的2019年财报显示，该企业5nm蚀刻设备已经获得批量订单。

据悉， 5nm蚀刻机目前是集成电路制造领域中最为先进的工艺，除了中微公司之外，目前只有三星和台积电声称掌握了该工艺，也就是说目前全球仅3家企业拥有这一技术 。不过，目前只有台积电能量产5nm蚀刻机，并将于今年第二季度扩大其产量；而 三星则预计要到今年6月底才能完成5nm产线的建设，并且预计最早将于今年年底进行量产。

一直以来，全球半导体设备市场都是有国外厂商垄断。 数据显示，2018年全球前5大厂商在全球的市场份额已经超过65%。而与长江存储相似，中微公司作为半导体设备市场的追赶者，要在短期内打破外国的垄断，恐怕还有难度。不过， 如今中微公司在全球蚀刻设备市场已经占有一席之地，这无疑有助于提高我国芯片生产设备的供应安全。

中微公司的董事长尹志尧此前表示，在一些最高端的刻蚀应用中，该公司的刻蚀机还有的地方，因此还需要进行进一步的技术创新和设备升级，该公司已经在开发新一代的蚀刻机。 随着中微公司技术持续升级，未来中企在芯片生产设备的技术方面与外国厂商的差距有望进一步缩小。

我国唯一一台euv光刻机现状

我国目前连一台euv光刻机都没有，即使是图纸也没有。

EUV光刻机是半导体制造中的核心设备，它使用极紫外光技术进行微细加工，能够实现芯片制造的高精度和高速度。然而，全球EUV光刻机市场一直被荷兰ASML公司垄断，而中国EUV光刻机如何则备受关注。

目前，ASML公司所在的荷兰政府以及美国政府均在对EUV光刻机的出口进行严格的管制，而EUV光刻机是制造芯片的必要设备之一，中国的半导体产业将会面临供应链断裂的风险。

面对这一局面，中国政府已经出台了一系列的政策，支持国内的半导体产业发展。中国正在积极推进自主创新，加大投入力度，建设自主可控的芯片生态系统。目前，中国的一些芯片制造企业也在积极研发EUV光刻机，以期实现国产化。

性能指标：

光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。片台和掩模夹是根据不同的样片和掩模尺寸而进行设计的。

分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。

对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。

以上内容参考：百度百科—光刻机

中国什么光刻机？

首台国产光刻机是上海微电子装备（集团）股份有限公司研发的。

上海微电子装备（集团）股份有限公司（简称SMEE）主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。公司设备广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造领域。

SMEE致力于以极致服务，造高端产品，创卓越价值，全天候、全方位、全身心地为顾客提供优质产品和技术服务。SMEE已通过ISO27001信息安全、ISO9001质量管理和ISO14001环境管理等体系的国际认证，力求为客户提供持续、稳定、高品质的产品和服务，并履行一个优秀的高科技企业的社会责任。

SMEE光刻机研发成功的意义

上海微电子公司所研发的“SMEE光刻机”是一台性能堪比先进光刻机的制造设备，其光刻效果能够满足生产高质量的芯片。这一研发的成功，也打破了美国市场对于中国光刻机的垄断，赢得了国内技术的独立与发展。

随着上海微电子的封装光刻机进入国产厂商生产线，对于提升国产芯片自给率，降低国外芯片进口依赖有了更大的帮助。因为封装光刻机也是制造集成电路和半导体器件的关键设备之一，它能够将电路图案转移到半导体材料的表面，是半导体产业中不可或缺的重要设备。

华为有多少光刻机

华为有46台光刻机。

半导体产业已经成为了全球科技大战的核心战场。在这场战场中，华为一直备受关注。自从受到国际贸易制裁后，华为面临着巨大的压力，特别是在半导体供应链断裂的风险下。2023年9月，郭台铭发出强烈的支持信号，他计划为华为提供46台光刻机，来力挺华为的半导体业务。

46台光刻机不仅可以帮助华为弥补供应链的短板，还将进一步提高其技术的核心竞争力。其次，这标志着华为与郭台铭之间深化的合作关系。尽管两者之前有过合作，但这次的大手笔投资无疑将两者的合作关系提升到了新的高度。

华为手机品牌发展历史

2003年7月，成立华为技术有限公司手机业务部。

2004年2月，作为中国第一款WCDMA手机参加法国戛纳3GSM大会并现场演示。

2009年2月，在西班牙移动世界大会（MWC）首次展示首款Android智能手机，并宣布与T-mobile合作推广。

2010年9月，在德国IFA展会上发布全球首款with Google的Android2.2普及型智能手机IDEOS。

2012年1月，在美国国际消费电子展（CES）发布P系列“智能手机”Ascend P1S（厚度仅6.68mm）。

2012年2月，西班牙移动世界大会（MWC）发布四核手机Ascend D1 quad；联合沃达丰在英国发布Ascend G300。

2018年3月27日，华为在法国巴黎发布了华为P20、华为P20Pro、华为P20Lite三款手机。

以上内容参考百度百科-华为手机

中国突破光刻机意味着什么？

光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到22纳米的光刻机，结合多重曝光技术，可以用于制备10纳米以下的信息器件。这不仅是世界上光学光刻的一次重大变革，也将加快推进工业4.0，实现中国制造2025的美好愿景。

长期以来，我国的光刻技术落后于先进国家，成为我国工业现代化进程的一块短板。2006年，科技部提出了光刻技术的中长期规划，希望中科院的国家重点实验室，能找到一条绕开国外技术壁垒，具有自主知识产权的光刻路径。光电所SP光学光刻机就是绕开了传统的193纳米曝光的技术路线，利用长波长光源也可以得到一个突破衍射极限的分辨率的图形，所以在成本上安全性方面上都会有一个很大的提升，是完全具有知识产权的原创性技术。

我以前了解过，光刻机是制造电脑CPU的母机，处于科技领域的最顶层，目前世界上先进光刻机基本被荷兰的ASML公司垄断，CPU芯片制程最先进的是14纳米，不卖中国人，并且卖给中国公司的稍过时的光刻机也有条款不准用于制造像龙心这类自主研发的CPU芯片。美国、日本在这个领域都力不从心，成都太给力了。

在技术方面，ASML光刻机可以使用波长为13.5纳米的极紫外光(EUV)，实现14纳米、10纳米、和7纳米制程的芯片生产，而通过技术升级，也可以实现9纳米，8纳米，6纳米，5纳米，4纳米乃至3纳米等制程的芯片生产。据悉，台积电购买了ASML的两台NXE 3300B(后来在ASML的帮助下升级到与NXE 3350B相同的技术水平)，三星也从ASML采购EUV设备，NXE 3350B和最新的NXE3400光刻机，英特尔同时也采购了数台NXE 3350B。而且NXE 3350B EUV极紫外光刻机主要被用来进行7nm的相关测试和试产。在今年4月，台积电就已经开始代加工其7nm制程的芯片产品，三星在近期推出8nm制程的产品，而英特尔可能生产10nm工艺的产品。从中可以看出，ASML的EUV光刻机成为了他们能否快速实现更低纳米制程量产计划的基础和关键，不管三星、英特尔、台积电围绕着具体制程工艺如何去竞争，ASML终究是背后最大霸主，最大赢家，因为他们谁都离不开他的EUV光刻机。

中国有光刻机吗？

中国有光刻机，位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售。正在进行其他各系列产品的研发制作工作。

光刻机又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。

光刻机的作用：

光刻机是芯片制造的核心设备之一。目前有用于生产的光刻机，有用于LED制造领域的光刻机，还有用于封装的光刻机。光刻机是采用类似照片冲印的技术，然后把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。

在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。

中国光刻机能产几纳米

中国光刻机能产几纳米：最新成果展示
　　据近日消息，中国光刻机取得了重大突破，在芯片制造工艺中实现了更高层次的精度。目前，中国光刻机已经实现了可以生产7纳米线宽的水平，并在分辨率和可制造性等方面取得了显著的进步。这意味着中国在半导体产业中所具备的实力进一步得到了增强，也为今后的科技发展奠定了更为坚实的基础。
　　作为目前全球光刻技术的主要开发者，中国的光刻机发展一直备受瞩目。过去，中国的光刻机只能达到50纳米的生产精度，然而近年来，把握机遇，大力发展技术，中国光刻机顺利实现了25纳米和18纳米的生产精度，成功将产业链推向更高层面。而如今光刻机打破7纳米这一生产极限，是产业竞争最新的战略制高点。
　　中国在发展光刻机方面的成功也促成了技术创新和国际产业分工的加强。目前，中国已经能够自主开发生产一款全新的光刻机，并借此提高半导体产业的制造技术。在未来，中国的光刻机技术还将继续提升，为推动半导体产业逐步向着智能化、高效、普及化等多元化方向发展，发挥更大的作用。

中国最大的光刻机生产厂家

上海微电子

上海微电子目前已经量产最先进的SSA600/20系列光刻机，依旧采用的是193nmArF光源技术，可用于低端的90nm芯片，更重要的是上海微电子的光刻机设备掌握着国内低端光刻机设备领域近80%市场份额；而根据国内官方媒体最新报道，上海微电子下一代28nm工艺节点的浸润式光刻机可以在明年完成量产交货，这意味着国产光刻机设备即将会掀起一股中国替代潮，已经取得了重大技术突破的上海微电子，未来的发展潜力无限。上海微电子装备有限公司坐落于张江高科技园区内，邻近国家集成电路产业基地、国家半导体照明产业基地和国家863信息安全成果产业化（东部）基地等多个国家级基地。公司成立于2002年，主要致力于大规模工业生产的投影光刻机研发、生产、销售与服务，公司产品可广泛应用于IC制造与先进封装、MEMS、TSV/3D、TFT-OLED等制造领域。

目前我国的光刻机厂家正在快速发展中，虽落后西方国家一步，但未来是光明可见的。光刻机的种类、品牌多式多样，其重要功能各不一样。光刻机（MaskAligner）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售。正在进行其他各系列产品的研发制作工作。生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机，分辨率通常在数微米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRONXQ4006、以及中国品牌。

光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。A手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；B半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；C自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望尘莫及的技术难点之一，许多美国德国品牌光刻机具有特殊专利的机械工艺设计。例如MycroN&Q光刻机采用的全气动轴承设计专利技术，有效避免轴承机械摩擦所带来的工艺误差。对准系统另外一个技术难题就是对准显微镜。为了增强显微镜的视场，许多高端的光刻机，采用了LED照明。对准系统共有两套，具备调焦功能。主要就是由双目双视场对准显微镜主体、目镜和物镜各1对（光刻机通常会提供不同放大倍率的目镜和物镜供用户组合使用）。CCD对准系统作用是将掩模和样片的对准标记放大并成像于监视器上。